Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu.

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Pv

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam, 2020

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 470921

TS Nguyễn Trương Thanh Hiếu (Trường Đại học Tôn Đức Thắng) đã được trao Giải thưởng trẻ Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020 với công trình“Low-energy electron inelastic mean free path in materials” (Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu), đăng trên Tạp chí Applied Physics Letters (Vol 108, p.172901, 2016). Công trình này đã đề xuất một phương pháp tổng quát để xác định quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp, có thể áp dụng cho nhiều loại vật liệu khác nhau, từ vật liệu khối có cấu trúc chu kỳ cho đến vật liệu vô định hình, và cả vật liệu hai chiều đang rất được quan tâm hiện nay.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH