Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ=Study on effect of strain on electronic properties of two-dimensional MGe2N4 (M = Mo, W) monolayers using density functional theory

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Tuyết Vi Võ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Đại học Duy Tân, 2024

Mô tả vật lý: tr.46011

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 477308

The successfully synthesized two-dimensional seven-atomic layer structure MoSi2N4 has opened up a new research direction in the field of layered materials. Stimulated by this achievement, in this work, we design and investigate the structural and electronic properties of the two-dimensional material MGe2N4 (M = Mo, W) using the density functional theory. The obtained results demonstrated that MGe2N4 (M = Mo, W) monolayers are structurally stable and can be experimentally fabricated. At the gound state, both MoGe2N4 and WGe2N4 are semiconductors with indirect band gaps. It is found that strain not only affects the electronic energy band structure of MGe2N4 monolayers but also significantly changes their band gap. Our findings contribute to clarifying the physical propertiesof the two-dimensional MA2Z4 family.Vật liệu hai chiều có cấu trúc bảy lớp nguyên tử MoSi2N4 được tổng hợp thành công bằng thực nghiệm đã mở ra một hướng tiếp cận mới trong việc nghiên cứu các vật liệu có cấu trúc lớp. Theo xu hướng đó, trong bài báo này chúng tôi thiết kế và khảo sát các đặc trưng cấu trúc và các tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M = Mo, W) bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ. Các kết quả thu được chứng minh rằng các đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) có cấu trúc ổn định và có khả năng chế tạo bằng thực nghiệm. Ở trạng thái cân bằng, cả hai đơn lớp MoGe2N4 và WGe2N4 đều là những bán dẫn với vùng cấm xiên. Các tính toán cho thấy rằng biến dạng không chỉ ảnh hưởng đến cấu trúc vùng năng lượng mà còn làm biến đổi một cách đáng kể độ rộng vùng cấm của các đơn lớp MGe2N4. Các kết quả của chúng tôi góp phần làm sáng tỏ hơn các tính chất vật lý của họ vật liệu hai chiều MA2Z4.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH