Chúng tôi trình bày cơ chế hấp thụ các hợp chất Nitơ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001) dựa trên các tính toán năng lượng toàn phần theo nguyên lý đầu tiên. Chúng tôi thấy rằng nguyên tử Nitơ dễ dàng thay thế nguyên tử Ga khi hấp thụ và tạo thành cấu trúc Nitơ bậc bốn. Điều ngạc nhiên là sự hấp thụ này không cần vượt qua bất kỳ hàng rào năng lượng kích hoạt nào. Ngoài ra, chúng tôi nhận thấy NH2 và NH còn tham gia vào liên kết yếu Ga-Ga và hình thành cấu trúc - Ga - (NHx) - Ga - trong quá trình hấp thụ. Phát hiện này mang lại cái nhìn tổng quan và sâu sắc về số phận của các hợp chất Nitơ trong quá trình hấp thụ trên bề mặt giàu Ga của GaN (0001).We present features in the incorporation of Nitrogen-related species on the Ga-rich GaN (0001) surface based on firstprinciples total energy calculations. We find that the N adatom spontaneously substitutes for the Ga adatom upon adsorption and forms 4-fold N structure. Surprisingly, this substitutional adsorption does not have any activation energy. Also, we find that NH2 and NH units intervene in the Ga-Ga weak bonds and form - Ga - (NHx) - Ga - structure during the adsorption. This finding gives an insight into the fate of ammonia species during adsorption on the Ga-rich GaN (0001) surface.