CALCULATION OF ELECTRON TRANSPORT COEFFICIENTS IN SiH4-Xe USING BOLSIG+ PROGRAM=Tính toán các hệ số chuyển động của electron trong hỗn hợp khí SiH4

CALCULATION OF ELECTRON TRANSPORT COEFFICIENTS IN SiH4-Xe USING BOLSIG+ PROGRAM=Tính toán các hệ số chuyển động của electron trong hỗn hợp khí SiH4 – Xe sử dụng chương trình Bolsig+

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anh Nguyen Thi Van, Dat Ly Van, Dung Nguyen Thi Thuy, Tuoi Phan Thi

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và công nghệ - Trường Đại học Thành Đông, 2024

Mô tả vật lý: tr.1

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 482253

Thêm vào giỏ

Lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma kích thích bằng vi sóng sử dụng SiH4-Xe để tạo ra Silic đa tinh thể ở nhiệt độ 300°C. Phần mềm Bolsig+ đã được sử dụng để giải phương trình Boltzmann (BE) bằng phương pháp mô phỏng trực tiếp Monte Carlo (DSMC) dựa trên mô phỏng Monte Carlo (MC) cho dòng chất lỏng hữu hạn. Các đặc tính plasma, bao gồm độ linh động năng lượng, hệ số khuếch tán năng lượng và hệ số ion hoá ở các nồng độ khác nhau của hỗn hợp SiH4-Xe. Trong bài báo này, chúng tôi đã tính toán bằng chương trình Bolsig+ các hệ số vận chuyển electron liên quan đến E/N (tỷ lệ của trường điện E với mật độ số trung tính N) trong phạm vi 10-1000 Td (Townsend) cho hỗn hợp SiH4-Xe 10%, 30%, 50%, 70% và 90%. Các hệ số đó là độ linh động, hàm phân phối năng lượng electron (EEDF), hệ số khuếch tán, hệ số ion hóa.Microwave-excited plasma enhanced chemical vapor deposition using SiH4-Xe to create polycrystalline silicon is grown at a temperature of 300 °C. The Bolsig+ program has been used to solve the Boltzmann equation (BE) using the direct simulation Monte Carlo (DSMC) method which is based on the Monte Carlo (MC) simulation for the limited number of fluid-flows. The plasma properties, which include energy mobility, energy diffusion coefficient and ionization coefficients in various concentrations of SiH4-Xe mixture. In this paper, the electron transport coefficients with respect to E/N (ratio of the electric field E to the neutral number density N) in the range of 10 -1000 Td (Townsend) were calculated using the Bolsig+ program for 10%, 30%, 50%, 70%, and 90% SiH4-Xe mixture. Electron transport coefficients include mobility, electron energy distribution function (EEDF), diffusion coefficient, and ionization coefficient.

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR