Nghiên cứu này báo cáo quy trình đơn giản chế tạo bột huỳnh quang β-Ga2O3 pha tạp Cr3+ (β-Ga2O3:Cr3+) với các nồng độ khác nhau (0,2-1,5%) bằng phương pháp khuếch tán nhiệt. Kết quả giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có cấu trúc monoclinic. Thêm vào đó, ion Cr3+ được tìm thấy đã thay thế cho ion Ga3+ trong mạng nền β-Ga2O3.This study reports a simple fabrication process for producing Cr3+ doped β-Ga2O3 (β-Ga2O3:Cr3+) phosphor powder with different concentrations (0.2-1.5%) by thermal diffusion method. The X-ray diffraction pattern (XRD) analysis revealed that the β-Ga2O3:Cr3+ phosphor has a monoclinic structure. Additionally, the Cr3+ ions were found to replace the Ga3+ ions in the β-Ga2O3 lattice.