Khảo sát tính chất quang của vật liệu β-Ga2O3 pha tạp ion Cr3+ chế tạo bằng phương pháp khuếch tán nhiệt=Luminescent properties of Cr3+-doped β-Ga2O3 materials synthesised by thermal diffusion method

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Quang Học Đàm, Mai Anh Nguyễn, Văn Quang Nguyễn, Thị Lan Hương Phạm

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B, 2024

Mô tả vật lý: tr.1

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 484746

Nghiên cứu này báo cáo quy trình đơn giản chế tạo bột huỳnh quang β-Ga2O3 pha tạp Cr3+ (β-Ga2O3:Cr3+) với các nồng độ khác nhau (0,2-1,5%) bằng phương pháp khuếch tán nhiệt. Kết quả giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có cấu trúc monoclinic. Thêm vào đó, ion Cr3+ được tìm thấy đã thay thế cho ion Ga3+ trong mạng nền β-Ga2O3.This study reports a simple fabrication process for producing Cr3+ doped β-Ga2O3 (β-Ga2O3:Cr3+) phosphor powder with different concentrations (0.2-1.5%) by thermal diffusion method. The X-ray diffraction pattern (XRD) analysis revealed that the β-Ga2O3:Cr3+ phosphor has a monoclinic structure. Additionally, the Cr3+ ions were found to replace the Ga3+ ions in the β-Ga2O3 lattice.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH