Switching Spin Filling Sequence in a Bilayer Graphene Quantum Dot through Trigonal Warping.

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Gang Cao, Guo-Ping Guo, Tian-Yue Hao, Shun-Li Jiang, Fang-Ming Jing, Guo-Quan Qin, Xiang-Xiang Song, Zhuo-Zhi Zhang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: United States : Physical review letters , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 4908

We demonstrate a switchable electron shell structure in a bilayer graphene quantum dot by manipulating the trigonal warping effect upon electrical gating. Under a small perpendicular electric field, the lowest s shell is sequentially filled with two spin-up and two spin-down electrons of opposite valleys. When increasing the electric field, an additional threefold minivalley degeneracy is generated so that the s shell can be filled with 12 electrons with the first (last) six electrons having the same spin polarization. The switched spin filling sequence demonstrates the possibility of using the trigonal warping effect to electrically access and manipulate the spin degree of freedom in bilayer graphene.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH