GEOMETRY STRUCTURE OF Si12 CLUSTERS DOPED BY ONE As ATOM

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Nguyễn Trọng Nghĩa Đinh, Thị Hồng Tâm Ngô, Minh Nguyệt Phạm, Doãn Thanh Thái

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 539.12 Molecular structure

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học Công nghệ và Thực phẩm, 2018

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 492798

Bài báo này thực hiện tối ưu hóa câu trúc cluster Si12 pha tạp một nguyên tử As để xác định các isomer có năng lượng thâp nhât. Phương pháp tính toán thực hiện la phương pháp phiếm hàm mât độ (Density Functional Theory - DFT) với phiếm ham được chọn là B3LYP, rât phù hợp với cluster Si. Từ đó, độ bền tương đối của các isomer này và cluster Si thuần túy được đánh giá thông qua năng lượng liên kết. Kết quả tính toán năng lượng liên kết của cluster Si có pha tạp một nguyên tử As là 4,18763 eV so với năng lượng liên kết của Si thuần túy là 4,176797 eV. Điều này cho thây cluster Si có pha tạp một nguyên tử As bền hơn cluster Si thuần túy.Từ khóa: Cluster Si, phương pháp DFT, câu trúc hình học, cluster Silic pha tạp Asen, năng lượng liên kếtIn this article, optimization of one-As-atom-doped Si12 clusters structure wasperformed to determine the lowest energy isomers. Computational method carried out in this article was the density functional theory (DFT) method with the hybrid B3LYP functional, which is very suitable for the Si cluster. Additionally, the relative strength of these isomers and the pure Si clusters were assessed by calculating their binding energy. The result showed the binding energy of Si12As was 4.18763 eV, whereas the binding energy of pure Si was 4.176797 eV. That means the one-As-atom-doped Si clusters are stronger than the pure Si clusters.Keywords: Silicon cluster, DFT method, geometry structure, arsenic doped silicon cluster, binding energy.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH