Hệ số Ion hóa Townsend thứ nhất trong hỗn hợp khí SiH4-O2

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anh Tuấn Đỗ, Xuân Hiển Phạm, Thanh Sơn Trần

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 537.53 Discharge through rarefied gases and vacuums

Thông tin xuất bản: Khoa học và Công nghệ (Đại học Thái Nguyên), 2017

Mô tả vật lý: 125-127

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 535380

Giá trị hệ thống ion hóa Townsend thứ nhất trong hỗn hợp SiH4-O2 được tính toán bằng việc sử dụng các phân tích phương trình bậc 2 Boltzmann. Hệ số Townsend thứ nhất trong hỗn hợp khí SiH4-O2 với các tỷ lệ trộn khác nhau được dựa trên các bộ tiết diện va chạm đáng tin cậy của các phân tử SiH4 và O2. Do đó, các kết quả này là các dữ liệu quan trọng cho việc mô tả các quá trình phóng điện và phóng điện plasma trong các ứng dụng công nghiệp có sử dụng hỗn hợp khí SiH4-O2.The first Townsend ionization system value in the SiH4-O2 mixture is calculated using the quadratic equation analysis Boltzmann. The first Townsend coefficient in the SiH4-O2 gas mixture with different mixing ratios is based on reliable collision cross-sections of SiH4 and O2 molecules. Therefore, these results are important data for describing plasma discharge and discharge processes in industrial applications using SiH4-O2 gas mixtures.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH