Nghiên cứu, chế tạo màng mỏng oxit niken bằng kỹ thuật phún xạ từ trường sử dụng nguồn xung công suất lớn. Bán dẫn oxit niken được lắng đọng trên nền oxit thiếc pha tạp indium bằng phương pháp phún xạ từ trương trong môi trường chân không, sử dụng nguồn điện xung công suất lớn. Độ rộng xung của nguồn điện thay đổi từ 15 micro giây tới 45 micro giây. Kết quả cho thấy tính chất của màng mỏng NiO phụ thuộc nhiều vào điều kiện phún xạ. Tỷ lệ nguyên tử (O/Ni) giảm dần từ 1,15 tới xấp xỉ 1.Researching and manufacturing nickel oxide thin film by magnetic sputtering technique using high-power pulse source. The nickel oxide semiconductor is deposited on indium doped tin oxide oxide by magnetic sputtering in vacuum, using high-power impulse source. The pulse width of the power source varies from 15 microseconds to 45 microseconds. The results show that the properties of NiO thin films are highly dependent on sputtering conditions. The ratio of atoms (O / Ni) gradually decreases from 1.15 to approximately 1.