Nghiên cứu lý thuyết hàm mật độ (DFT) đối với các đặc tính điện tử và cấu trúc của các lớp TiO2 khoáng chất anata pha N

• Ngôn ngữ: vie
• Ký hiệu phân loại: 538.4 Magnetic substances and their characteristic phenomena
• Thông tin xuất bản: Tạp chí khoa học (Đại học Sư phạm Hà Nội), 2014
• Mô tả vật lý: 150-156
• Bộ sưu tập: Metadata
• ID: 547014

Tóm tắt

In this research, the structural and electronic properties of N-doped anatase TiO2 layers were evaluated using the density functional theory (DFT). The results show that doping positions of N atoms cause different effects on the size and shape of unit cells of models. Calculated band structures of doped layers show the appearance of acceptor levels in the band-gaps and the decrease of band-gap values, corresponds to pure layer values. Density of states (DOS) and projected density of states (PDOS) of doped layers show that N 2p orbital play the key role in the appearance of acceptor levels in forbidden bands. Ti 3d and O 2p orbitals still play the most important roles in the DOS of N-doped TiO2 layers.