Màng ZnO pha tạp Ga 5 phần trăm at (GZO) trên đế thủy tinh được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm GZO ở nhiệt độ phòng. Công trình đã khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách bia đế, thời gian phún xạ và công suất phún xạ đến tính chất quang điện của màng GZO. Kết quả cho thấy màng GZO trên đế thủy tinh có cấu trúc tinh thể tốt và phát triển ưu tiên theo mặt mạng (002), điện trở suất thấp bậc 10-4ômcm, độ truyền qua trung bình trong vùng ánh sáng khả kiến trên 80 phần trăm.