Nghiên cứu chế tạo màng oxít dẫn điện trong suốt gzo bằng phương pháp phún xạ magnetron dc

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thái Ngọc Hà Đinh, Văn Hiế Nguyễn, Thị Lan Anh Phạm, Thị Hạnh T Vũ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 537.85 Electricity and electronics

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ thuật, 2015

Mô tả vật lý: 45329

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 572882

Màng ZnO pha tạp Ga 5 phần trăm at (GZO) trên đế thủy tinh được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm GZO ở nhiệt độ phòng. Công trình đã khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách bia đế, thời gian phún xạ và công suất phún xạ đến tính chất quang điện của màng GZO. Kết quả cho thấy màng GZO trên đế thủy tinh có cấu trúc tinh thể tốt và phát triển ưu tiên theo mặt mạng (002), điện trở suất thấp bậc 10-4ômcm, độ truyền qua trung bình trong vùng ánh sáng khả kiến trên 80 phần trăm.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH