Enhanced carrier separation and decreased reaction barrier in cobalt-doped CdIn

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Xiaoyan Cai, Wenqiang Dang, Qinran Li, Liang Mao, Yuzhen Sun, Yulong Zhao, Qingao Zhou

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 070.48346 Journalism

Thông tin xuất bản: United States : Journal of colloid and interface science , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 61602

Doping with 3d transition metal atoms is a widely used strategy to enhance the photocatalytic activity of metal sulfides, although the introduction of d-electrons often leads to the formation of deep localized states that function as recombination centers, thereby reducing charge separation efficiency. In this study, cobalt (Co) dopants were introduced into CdIn
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH