Ảnh hưởng của sức căng đến sự khuếch tán tạp chất trong silicon

• Ngôn ngữ: vie
• Ký hiệu phân loại: 537.622 Semiconductivity
• Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học, 2012
• Mô tả vật lý: 71-78
• Bộ sưu tập: Báo, Tạp chí
• ID: 628938

Tóm tắt

The effects of strain on the diffusion of impurities in silicon crystal are investigated using the statistical moment method (SMM). The influence of tensile strain on diffusion coefficient D is characterized by relaxation volume Vr and migration volume Vm. The numerical results for B and P diffusion in silicon that are performed and compared to experimental data show good agreement.