Directed Inward Migration of S-Vacancy in Bi

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Yao Deng, Hui Wang, Jing Wang, Wenlei Wang, Yiqiang Wu, Zhen Zhang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 658.32259 Personnel management (Human resource management)

Thông tin xuất bản: Germany : Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 641465

The directional migration of S-vacancy is beneficial to the separation of photogenerated carriers and the transition of electrons in semiconductors. In this study, Bi
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH