Forming and compliance-free operation of low-energy, fast-switching HfO

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: AbdulAziz AlMutairi, Irina Chircă, Xuyun Guo, Stephan Hofmann, Antonio Lombardo, Valeria Nicolosi, Tianyi Wen, Aferdita Xhameni

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 516.372 Euclidean geometry

Thông tin xuất bản: England : Nanoscale horizons , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 641953

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

We demonstrate low energy, forming and compliance-free operation of a resistive memory obtained by the partial oxidation of a two-dimensional layered van-der-Waals semiconductor: hafnium disulfide (HfS

Tạo bộ sưu tập với mã QR