Spectroscopic Ellipsometry and Correlated Studies of AlGaN-GaN HEMTs Prepared by MOCVD.

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Zhe Chuan Feng, Ian Ferguson, Benjamin Klein, Yaoze Li, Yao Liu, Manika Tun Nafisa, Wenhong Sun, Lingyu Wan, Lianshan Wang, Yanlian Yang, Jeffrey Yiin

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 364.086949 Criminology

Thông tin xuất bản: Switzerland : Nanomaterials (Basel, Switzerland) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 67351

A series of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures, with an AlN thin buffer, GaN thick layer and Al

Tạo bộ sưu tập với mã QR