Demonstration of Integrated Quasi-Vertical DMOS Compatible with the Bipolar-CMOS-DMOS Process Achieving Ultralow R

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Sheng Li, Feng Lin, Siyang Liu, Weifeng Sun, Weidong Wang, Zhengxuan Wang, Jiaxing Wei, Tuanzhuang Wu, Ran Ye, Long Zhang, Yi Zhang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 518.66 Numerical solutions of integral equations

Thông tin xuất bản: Switzerland : Nanomaterials (Basel, Switzerland) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 67364

An integrated quasi-vertical double-diffused MOSFET (DMOS) with split-gate trench (SGT) structure (SGT-QVDMOS), whose specific ON-state resistance (R

Tạo bộ sưu tập với mã QR