Tính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Hoàng Chương Đào, Võ Phương Thuận Lê, Thành Tiên Nguyễn, Thị Ngọc Huyền Võ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 620.5 Nanotechnology

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học (Đại học Cần Thơ), 2021

Mô tả vật lý: 70-77

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 674181

Trong bài viết này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1, C2 và khuyết đồng thời hai nguyên tử C2. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSSPGNR có độ rộng vùng cấm giảm đáng kể so với mẫu không khuyết. Trong đó, DSSPGNRs khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 có độ rộng vùng cấm giảm nhiều hơn so với DSSPGNRs khuyết đơn nguyên tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc phát triển ứng dụng penta-graphene trong lĩnh vực vi điện tử.,
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH