Impact of B and P Doping on the Elastic Properties of Si Nanowires.

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Nedhal Ali Mahmood Al-Nuaimi, Sibylle Gemming, Angela Thränhardt

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Switzerland : Nanomaterials (Basel, Switzerland) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 67448

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Using gradient-corrected density functional theory we investigate the mechanical properties of ultrathin boron (B) and phosphorus (P) doped silicon nanowires (SiNWs) along the [001] and [111] orientations within the PBE approximation. Both pristine and doped SiNWs under study have diameters ranging from 5 to 8 Å. Our results show that doping significantly enhances the bulk modulus (B0), shear modulus (GV), Young's modulus (

Tạo bộ sưu tập với mã QR