Remarkably High Dielectric Constant and Capacitance Density by Ni/ZrO

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Albert Chin, Wei Ting Fan, Pheiroijam Pooja

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Switzerland : Nanomaterials (Basel, Switzerland) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 67579

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Rapid thermal annealing (RTA) has been widely used in semiconductor device processing. However, the rise time of RTA, limited to the millisecond (ms) range, is unsuitable for advanced nanometer-scale electronic devices. Using sub-energy bandgap (E

Tạo bộ sưu tập với mã QR