Improving thermal expansion coefficients and mechanical properties of interconnect copper by doping Al

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Shenghong Ju, Yunwen Wu, Tianyu Zhang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: England : Physical chemistry chemical physics : PCCP , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 691820

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

With the development of through-silicon via (TSV) technology, the thermal reliability of integrated circuits suffers from the thermal expansion mismatch between interconnect copper and the silicon substrate. Embedding the Al

Tạo bộ sưu tập với mã QR