Contact Resistance Optimization in MoS

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Yuan Fa, Michael Heuken, Holger Kalisch, Max C Lemme, Bart Macco, Agata Piacentini, Andrei Vescan, Zhenxing Wang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 303.482 Contact between cultures

Thông tin xuất bản: United States : ACS applied materials & interfaces , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 694429

Two-dimensional material (2DM)-based field-effect transistors (FETs), such as molybdenum disulfide (MoS

Tạo bộ sưu tập với mã QR