Switching on and off the spin polarization of the conduction band in antiferromagnetic bilayer transistors.

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Cheol-Yeon Cheon, Marco Gibertini, Ignacio Gutiérrez-Lezama, Menghan Liao, Xiaohanwen Lin, Alberto F Morpurgo, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Fan Wu, Fengrui Yao

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 127 The unconscious and the subconscious

Thông tin xuất bản: England : Nature nanotechnology , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 696549

Antiferromagnetic conductors with suitably broken spatial symmetries host spin-polarized bands, which lead to transport phenomena commonly observed in metallic ferromagnets. In bulk materials, it is the given crystalline structure that determines whether symmetries are broken and spin-polarized bands are present. Here we show that, in the two-dimensional limit, an electric field can control the relevant symmetries. To this end, we fabricate a double-gate transistor based on bilayers of van der Waals antiferromagnetic semiconductor CrPS
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH