High-Breakdown and Low-Leakage 4H-SiC MOS Capacitor Based on HfO

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Chengxi Ding, Lin Gu, Yunduo Guo, Qimin Huang, Hongping Ma, Yi Shen, Anfeng Wang, Zhenyu Wang, Qingchun Zhang

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Switzerland : Nanomaterials (Basel, Switzerland) , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 699070

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

The progression of SiC MOSFET technology from planar to trench structures requires optimized gate oxide layers within the trench to enhance device performance. In this study, we investigated the interface characteristics of HfO

Tạo bộ sưu tập với mã QR