Loại tài liệu:
Chỉ tìm trong:
131-140 trong số 149 kết quả
Ultralow Voltage Operation of p- and n-FETs Enabled by Self-Formed Gate Dielectric and Metal Contacts on 2D Tellurium
|
|
Tác giả:
Chang Niu, Jian-Yu Lin, Zehao Lin, Linjia Long, Pukun Tan, Haiyan Wang, Wenzhuo Wu, Peide D Ye, Yizhi Zhang
|
Xuất bản:
Germany:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla
,
2025
|
Bộ sưu tập:
NCBI
|
|
|