Loại tài liệu:    Chỉ tìm trong: 
Tìm được 13 kết quả
Strain-Engineered MOSFETs
Tác giả: CK Maiti, TK Maiti
Xuất bản: Boca Raton, FL: CRC Press , 2012
Bộ sưu tập: Tài liệu truy cập mở
eBook (pdf)
ddc:  621.3815284
 
Characterization and Modeling of Interfacial Photogating Effect in Graphene Field-Effect Transistor Photodetectors on Si...
Tác giả: Leslie Howe, Kalani H Ellepola, Nusrat Jahan, Brady Talbert, James Li, Michael P Cooney, Nguyen Q Vinh
Xuất bản: United States: ACS applied electronic materials , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
Efficient 3D FISP-MRF at 0.55 T using long spiral readouts and concomitant field effect mitigation
Tác giả: Zhibo Zhu, Nam G Lee, Krishna S Nayak
Xuất bản: Netherlands: Magnetic resonance imaging , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
Field-effect transistors based on nickel oxide doped with nitrogen semiconductor ferroelectrics for ultralow voltage swi...
Tác giả: Silviu Vulpe, Mircea Dragoman, Martino Aldrigo, Florin Nastase, Damir Mladenovic, Octavian Ligor, Daniela Dragoman
Xuất bản: England: Nanotechnology , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
High-Performance Gate-All-Around Field Effect Transistors Based on Orderly Arrays of Catalytic Si Nanowire Channels
Tác giả: Wei Liao, Wentao Qian, Junyang An, Lei Liang, Zhiyan Hu, Junzhuan Wang, Linwei Yu
Xuất bản: Germany: Nano-micro letters , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
Tunnel field-effect transistors (TFET) : modelling and simulations
Tác giả: Mamidala Jagadesh Kumar, Pratyush Pandey, Rajat Vishnoi
Xuất bản: ,
Bộ sưu tập: Khoa học ứng dụng
eBook (pdf)
ddc:  621.3815284
 
Comparison between Different Configurations of Reference Electrodes for an Extended-Gate Field-Effect Transistor pH Sens...
Tác giả: Jiunn-Tyng Yeh, Chen-Yun Hsiao, Hsuan-Wo Lee, Chang-Fu Kuo
Xuất bản: United States: ACS omega , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
Junction Field-Effect Transistors Based on MoSe
Tác giả: Jialiang Li, Quan Chen, Zuxin Chen, Qi Wang, Derek Hao, Xin Zhang, Xuechen Chen, Qi Huang, Liang Li, Tianyi Ma, Baohua Jia
Xuất bản: United States: ACS applied materials & interfaces , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
Logic and static memory functions of an inverter comprising a feedback field effect transistor
Tác giả: Daon Kim, Doohyeok Lim
Xuất bản: England: Nanotechnology , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
High Hole Mobility van der Waals Junction Field-Effect Transistors Based on Te/GaAs for Multimode Photodetection and Log...
Tác giả: Fei Li, Jiang Zeng, Wei Gao, Mengmeng Yang, Jingbo Li, Nengjie Huo, Yiming Sun, Yiming Zhao, Lingyu Zhu, Yao Zhou, Zuyi Wang, Zhen Wang, Yuhan Zhang, Guoxin Liu, Jingxian Xiong
Xuất bản: United States: ACS applied materials & interfaces , 2025
Bộ sưu tập: NCBI
ddc:  621.3815284
 
1 2 Tiếp

Truy cập nhanh danh mục