Loại tài liệu:
Chỉ tìm trong:
51-60 trong số 219 kết quả
Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs
|
|
Tác giả:
Han Yang, Xiangru Han, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bing Huang, Bo Shen, Xuelin Yang, Yingming Song, Beile Chen, Zhenghao Chen, Guangxu Ju, Fujun Xu, Ning Tang, Tongjun Yu
|
Xuất bản:
United States:
Physical review letters
,
2025
|
Bộ sưu tập:
NCBI
|
|
|