Loại tài liệu:
Chỉ tìm trong:
11-20 trong số 36 kết quả
|
High-Breakdown and Low-Leakage 4H-SiC MOS Capacitor Based on HfO
|
|
Tác giả:
Qimin Huang, Yunduo Guo, Anfeng Wang, Lin Gu, Zhenyu Wang, Chengxi Ding, Yi Shen, Hongping Ma, Qingchun Zhang
|
|
Xuất bản:
Switzerland:
Nanomaterials (Basel, Switzerland
,
2025
|
|
Bộ sưu tập:
NCBI
|
|
|
|
|