Loại tài liệu:
Chỉ tìm trong:
21-30 trong số 250 kết quả
|
Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs
|
|
Tác giả:
Han Yang, Xiangru Han, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bing Huang, Bo Shen, Xuelin Yang, Yingming Song, Beile Chen, Zhenghao Chen, Guangxu Ju, Fujun Xu, Ning Tang, Tongjun Yu
|
|
Xuất bản:
United States:
Physical review letters
,
2025
|
|
Bộ sưu tập:
NCBI
|
|
|
|
|
|
Asymmetric rotations slow down diffusion under confinement
|
|
|
Tác giả:
Zhiqiang Liu, Xun Kan, Pan Gao, Jiaao Xue, Qun Cai, Naresh C Osti, Niina H Jalarvo, Cheng Li, Yongcun Zou, Yi Li, Shutao Xu, Guangjin Hou, Mingbin Gao, Mao Ye, Fujian Liu, Anmin Zheng, Yi Ji, Fangxiu Ye, Jingyi Tan, Fengqing Liu, Jiamin Yuan, Xiaomin Tang, Haohan Li
|
|
Xuất bản:
England:
Nature communications
,
2025
|
|
Bộ sưu tập:
NCBI
|
|
|
|
|